Favoriet toevoegen set Homepage
Positie:Home >> Producten >> RF Transistor

producten Categorie

producten Tags

FMUSER sites

FMUSER Originele Nieuwe MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

FMUSER Origineel Nieuw MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 is voornamelijk ontworpen voor gepulste breedbandtoepassingen met frequenties tot 150 MHz. Apparaat is ongeëvenaard en is geschikt voor gebruik in industriële, medische en wetenschappelijke toepassingen. Kenmerken typische pulserende prestaties bij 130 MHz: VDD = 50 volt, IDQ = 150 mA, steenbolk = 1000 watt piek (200 W gem.), Pulsbreedte = 100 µsec, inschakelduur = 20% vermogenswinst: 26 dB afvoerefficiëntie: 71 % Geschikt voor 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 watt piekvermogen gekarakteriseerd met serie-equivalente groot-signaalimpedantieparameters CW-werking met voldoende koeling Gekwalificeerd tot een maximum van 50 VDD-werking Geïntegreerde ESD-bescherming

Detail

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
215 1 0 215 DHL

 



FMUSER Originele Nieuwe MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor




FMUSER MRF6VP11KHR6 is voornamelijk ontworpen voor gepulste breedbandtoepassingen met frequenties tot 150 MHz. Apparaat is ongeëvenaard en is geschikt voor gebruik in industriële, medische en wetenschappelijke toepassingen.


Voordelen

Typische pulserende prestatie bij 130 MHz: VDD = 50 volt, IDQ = 150 mA, steenbolk = 1000 watt piek (200 W gemiddeld), pulsbreedte = 100 µsec, inschakelduur = 20%
Vermogenswinst: 26 dB
Drain Efficiëntie: 71%
Geschikt voor gebruik met 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts piekvermogen
Gekenmerkt met serie-equivalente grootsignaalimpedantieparameters
CW-bewerkingscapaciteit met voldoende koeling
Gekwalificeerd tot een maximum van 50 VDD-bewerking
Geïntegreerde ESD-bescherming
Ontworpen voor Push-Pull-bediening
Groter negatief gate-source spanningsbereik voor verbeterde klasse C-werking
RoHS-conformiteit
In tape en haspel. R6 Achtervoegsel = 150 eenheden per 56 mm, 13 inch haspel



Specificaties


Transistor Type: LDMOS
Technologie: Si
Toepassingsindustrie: ISM, uitzending
Toepassing: wetenschappelijk, medisch
CW / Pulse: CW
Frequentie: 1.8 tot 150 MHz
Vermogen: 53.01 dBm
Vermogen (W): 199.99 W.
P1dB: 60.57dBm
Piek uitgangsvermogen: 1000 W.
Gepulseerde breedte: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Vermogensversterking (Gp): 24 tot 26 dB
Input Return: Verlies: -16 tot -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polariteit: N-kanaal
Voedingsspanning: 50 V
Drempelspanning: 1 tot 3 Vdc
Doorslagspanning - Afvoerbron: 110 V
Spanning - Gate-Source: (Vgs): - 6 tot 10 Vdc
Afvoerefficiëntie: 0.71
Afvoerstroom: 150 mA
Impedantie Zs: 50 ohm
Thermische weerstand: 0.03 ° C / W
Pakket: Type: Flens
Pakket: CASE375D - 05 STIJL 1 NI - 1230--4
RoHS: Ja
Bedrijfstemperatuur: 150 graden C
Opslagtemperatuur: -65 tot 150 graden C



Pakket bestaat uit


1x MRF6VP11KH RF-vermogenstransistor



 

 

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
215 1 0 215 DHL

 

Laat een bericht achter 

Naam *
E-mail *
Telefoonnummer
Adres
Code Zie de verificatiecode? Klik vernieuwen!
Bericht
 

Message List

Reacties Laden ...
Home| Over Ons| Producten| Nieuws| Downloaden| Support| Feedback| Ons Contacten| Service

Contactpersoon: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail beveiligd] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adres in het Engels: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adres in het Chinees: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)