FMUSER Originele Nieuwe MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverancier

FMUSER Origineel Nieuw MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Beschrijving Primair ontworpen voor breedband groot-signaal output en driver stadia van 30-200 MHz. Kenmerken ● N-Channel Enhancement Mode MOSFET ● Uitstekende thermische stabiliteit Geschikt voor Cass A-werking ● Gegarandeerde prestaties bij 150 MHz, 28 Vdc: uitgangsvermogen = 45 W, ● Vermogensversterking = 17 dB (min) 'Rendement = 60% (min) ● Typische gegevens voor toepassingen van vermogensversterkers in industriële, ● commerciële en amateurradioapparatuur: ● Typische prestaties bij 30 MHz, 28 Vdc: uitgangsvermogen = 30 W, vermogen ● versterking = 20 dB (typ.) (PEP), efficiëntie = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) -32 dB (

Detail

vorige:FMUSER Originele Nieuwe MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Vervolg:MRFE6VP5300N RF-STROOM-MOSFET-TRANSISTOR

Prijs (USD)	Hoeveelheid (PCS)	Shipping (USD)	Totaal (USD)	Verzendmethode	Betaling
56	1	0	56	luchtpost
				luchtpost

FMUSER Origineel Nieuw MRF171A RF-vermogenstransistor vermogens-MOSFET Transistor

Omschrijving

In eerste instantie ontworpen voor breedband groot signaal output en driver trappen van 30-200 MHz.

Voordelen

●N – Channel Enhancement Mode MOSFET
●Uitstekende thermische stabiliteit Geschikt voor gebruik in Cass A.
●Gegarandeerde prestatie bij 150 MHz, 28 Vdc: uitgangsvermogen = 45 W,
●Vermogenswinst = 17 dB (min) 'Rendement = 60% (min)
●Typische gegevens voor toepassingen van vermogensversterkers in industriële,

●Commerciële en amateurradioapparatuur:

●Typische prestaties bij 30 MHz, 28 Vdc: uitgangsvermogen = 30 W, vermogen

●versterking = 20 dB (typ.) (PEP), efficiëntie = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) -32 dB (Typ.)
●Goud Top Metal
●Laag Crss - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% getest op niet-overeenkomende belasting bij alle fasehoeken met 30: 1 VSWR
●Vergemakkelijkt handmatige versterkingscontrole, ALC en modulatietechnieken