FMUSER Originele Nieuwe MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverancier

FMUSER Originele nieuwe MGF2430A RF-vermogenstransistor Power MOSFET-transistor BESCHRIJVING De MGF2430A, GaAs FET met een N-kanaals schottkygate, is ontworpen voor L- tot Ku-bandversterkers. KENMERKEN ● Hoog uitgangsvermogen P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Hoge lineaire versterking GLP = 6.5dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Hoge efficiëntie met extra vermogenP.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Hermetisch gesloten metalen pakket TOEPASSING ● Voor L- tot Ku-band eindversterkers KWALITEIT ● IGOUTLINE TEKENING AANBEVOLEN VOORWAARDEVOORWAARDEN ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Absolute maximale waarden ● VGDO Gate to Source Voltage ● VGSO Gate to source voltage ● IDSS Satu

Detail

vorige:1 STKS MRFE6VP5300N originele RF transistor

Vervolg:FMUSER Originele Nieuwe MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Prijs (USD)	Hoeveelheid (PCS)	Shipping (USD)	Totaal (USD)	Verzendmethode	Betaling
69	1	0	69	luchtpost
				luchtpost

FMUSER Originele Nieuwe MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

PRODUCTBESCHRIJVING

De MGF2430A, GaAs FET met een N-kanaals schottkygate, is ontworpen voor L- tot Ku-bandversterkers.

KENMERKEN

●Hoog uitgangsvermogen P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Hoge lineaire versterking GLP = 6.5dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Hoog vermogen toegevoegd efficiëntieP.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermetisch gesloten metalen verpakking TOEPASSING

●Voor L tot Ku-band eindversterkers KWALITEIT

●IGOUTLINE TEKENING

AANBEVOLEN VOORWAARDE VOORWAARDEN

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Absoluut maximale beoordelingen
●VGDO Gate naar bronspanning
●VGSO Gate naar bronspanning
●IDSS Verzadigde afvoerstroom
●IGR Omgekeerde poortstroom
●IGF Voorwaartse poortstroom
●PT * 1 Totale vermogensdissipatie
●Tch Cannel temperatuur

●Tstg Opslagtemperatuur * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)