FMUSER 1 stks Originele Nieuwe MRF317 RF TRANSISTOR, BREEDBAND RF POWER TRANSISTOR-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverancier

FMUSER 1 stks Origineel Nieuw MRF317 RF TRANSISTOR, BREEDBAND RF POWER TRANSISTOR Beschrijving: Primair ontworpen voor breedband grote signaalversterkertrappen in 30 MHz frequentiebereik. Gegarandeerde prestaties bij 200 MHz, 150 Vdc uitgangsvermogen 28 W Minimale versterking = 100 dB Ingebouwd passend netwerk voor breedbandwerking 9.0% getest op niet-overeenkomende belasting bij alle fasehoeken met 100: 30 VSWR Gold-metallisatiesysteem voor hoge betrouwbaarheid Hoog uitgangsverzadigingsvermogen bij uitstek geschikt voor Carrier / 1 W piek AM-versterker Service Gegarandeerde prestaties in breedbandtestopstelling MAXIMALE BEOORDELINGEN Classificatie CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Collector Current Peak (120 seconden

Detail

vorige:FMUSER 1 stks Originele Nieuwe MRF6VP3450H Laterale N-Kanaal Breedband RF Power MOSFET Transistor

Vervolg:FMUSER 1 stks Originele Nieuwe RD70HVF1 RF TRANSISTOR

Prijs (USD)	Hoeveelheid (PCS)	Shipping (USD)	Totaal (USD)	Verzendmethode	Betaling
59	1	0	59	luchtpost verzendkosten
				luchtpost verzendkosten

FMUSER 1 stks Originele Nieuwe MRF317 RF TRANSISTOR, BREEDBAND RF POWER TRANSISTOR

Beschrijving:
In de eerste plaats ontworpen voor breedband-signaalversterkertrappen met een frequentiebereik van 30 MHz. Gegarandeerde prestaties bij 200 MHz, 150 Vdc uitgangsvermogen 28 W Minimale versterking = 100 dB Ingebouwd passend netwerk voor breedbandwerking 9.0% getest op niet-overeenkomende belasting bij alle fasehoeken met 100: 30 VSWR Gold Metallization System voor hoge betrouwbaarheid Hoog uitgangsverzadigingsvermogen ideaal voor Carrier / 1 W Peak AM-versterker Service Gegarandeerde prestaties in breedbandtestopstelling MAXIMALE BEOORDELINGEN
Classificatie CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage Emitter Basisspanning Collectorstroom Continu Collectorstroom Piek (10 seconden) Totale apparaatdissipatie 25 ° C (1) Reductie boven 25 ° C Opslagtemperatuurbereik Symbool VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Waarde tot +150 Eenheid Vdc Adc Watts W / ° C ° C
Karakteristieke thermische weerstand, verbinding naar kastsymbool RJC Max 0.65 Eenheid ° C / W

specificaties:
●Productkenmerk Attribuutwaarde Zoek vergelijkbaar
●Fabrikant: FMUSER
●Product categorie: RF bipolaire transistors
● Merk: FMUSER
●Type product: RF bipolaire transistors

●Subcategorie: Transistors

Eigenschappen:
●ELEKTRISCHE EIGENSCHAPPEN: (TC = 25 ° C tenzij anders vermeld.)
●CommonEmitter Amplifier Power Gain: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Collectorefficiëntie: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Load Mismatch (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 alle fasehoeken)
●GPE Geen verslechtering van het uitgangsvermogen dB%