Favoriet toevoegen set Homepage
Positie:Home >> Producten >> RF Transistor

producten Categorie

producten Tags

FMUSER sites

De FMUSER Originele MRF151 To-59 hoogfrequente buis 150 W, 50 V, 175 MHz N-kanaal breedband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

De FMUSER originele MRF151 To-59 hoogfrequente buis 150 W, 50 V, 175 MHz N-kanaal breedband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor Overzicht MRF-serie apparaten zijn hoogwaardige 1 MHz tot 3.5 GHz bipolaire RF-transistors. Deze bipolaire transistors van Tech zijn ideaal voor luchtvaartelektronica, communicatie, radar en industriële, wetenschappelijke en medische toepassingen. Apparaten uit de MRF-serie maken deel uit van een breed scala aan RF-vermogenstransistors, waaronder palletversterkers, TMOS- en DMOS-transistors en LDMOS-transistors. Kenmerken ● Gegarandeerde prestaties bij 30 MHz, 50 V: ● Uitgangsvermogen - 150 W ● Winst - 18 dB (22 dB typ.) ● Rendement - 40% ● Typische prestaties bij 175 MHz, 50 V: ● Ou

Detail

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
149 1 0 149 DHL

 


De FMUSER originele MRF151 To-59 hoogfrequente buis

150 W, 50 V, 175 MHz N-kanaal breedband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor 

Overzicht

Apparaten uit de MRF-serie zijn hoogwaardige bipolaire RF-transistoren van 1 MHz tot 3.5 GHz. Deze Tech bipolaire transistors zijn ideaal voor avionica, communicatie, radar en industriële, wetenschappelijke en medische toepassingen. Apparaten uit de MRF-serie maken deel uit van een breed scala aan RF-vermogenstransistors, waaronder ook palletversterkers, TMOS- en DMOS-transistors en LDMOS-transistors.


Voordelen

● Gegarandeerde prestaties bij 30 MHz, 50 V:
 Output Power - 150 W
 Gain - 18 dB (22 dB typ)
 Efficiency - 40%
 Typische prestaties bij 175 MHz, 50 V:
 Output Power - 150 W
 Gain - 13 dB

 Lage thermische weerstand
 Robuustheid getest bij nominaal uitgangsvermogen
 Nitride Passivated Die voor verbeterde betrouwbaarheid


Omschrijving 

RF MOSFET-transistors 5-175MHz 150Watt 50Volt krijgen 18dB. Ontworpen voor commerciële en militaire breedbandtoepassingen bij frequenties tot 175 MHz. Het hoge vermogen, de hoge versterking en de breedbandprestaties van dit apparaat maken solid-state zenders mogelijk voor FM-uitzendingen of tv-kanaalfrequentiebanden.

Specificaties

 Product categorie: RF MOSFET-transistors
 Polariteit transistor: N-Channel
 Id - continue afvoerstroom: 16 A
 Vds - Doorslagspanning van afvoerbron: 125 V
 Gain: 13 dB
 Output Power: 150w
 Minimale bedrijfstemperatuur: - 65 C.
 Maximale bedrijfstemperatuur: + 150 ° C
 Montage Stijl: SMD / SMT
 Pakket / Case: 221-11-3
 Verpakking: Dienblad
 Configuratie: Enkele
 Werk frequentie: 175 MHz
 Pd - Vermogensverlies: 300w
 Type product: RF MOSFET-transistors
 Hoeveelheid af fabriek: 20
 Subcategorie: MOSFET
 Vgs - Gate-source spanning: 40 V
 Vgs th - Drempelspanning poortbron: 3 V



 

 

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
149 1 0 149 DHL

 

Laat een bericht achter 

Naam *
E-mail *
Telefoonnummer
Adres
Code Zie de verificatiecode? Klik vernieuwen!
Bericht
 

Message List

Reacties Laden ...
Home| Over Ons| Producten| Nieuws| Downloaden| Support| Feedback| Contact| Service

Contactpersoon: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail beveiligd] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adres in het Engels: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adres in het Chinees: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)