Favoriet toevoegen set Homepage
Positie:Home >> Producten >> RF Transistor

producten Categorie

producten Tags

FMUSER sites

FMUSER Originele nieuwe MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateraal N-kanaals breedband

FMUSER Origineel Nieuw MRF6VP2600H RF-vermogenstransistor MOSFET-transistor 500 MHz 600 W Lateraal N-kanaal breedband Overzicht De MRF6VP2600H is voornamelijk ontworpen voor breedbandtoepassingen met frequenties tot 500 MHz. Apparaat is ongeëvenaard en is geschikt voor gebruik in uitzendtoepassingen. Kenmerken * Typische DVB-T OFDM-prestaties: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, steenbolk = 125 watt gemiddeld, f = 225 MHz, kanaalbandbreedte = 7.61 MHz, ingangssignaal PAR = 9.3 dB @ 0.01% waarschijnlijkheid op CCDF. Vermogensversterking: 25 dB Afvoerefficiëntie: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: -61 dBc @ 4 kHz Bandbreedte * Typische pulserende prestatie: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, steenbolk = 600 watt piek, f = 225 MHz, pulsbreedte = 100

Detail

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Origineel Nieuw MRF6VP2600H RF vermogenstransistor MOSFET Transistor 500 MHz 600 W Laterale N-kanaals breedband

Overzicht

De MRF6VP2600H is primair ontworpen voor breedbandtoepassingen met frequenties tot 500 MHz. Apparaat is ongeëvenaard en is geschikt voor gebruik in broadcast-toepassingen.



Kenmerken

Typische DVB-T OFDM-prestaties: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, steenbolk = 125 watt gemiddeld, f = 225 MHz, kanaalbandbreedte = 7.61 MHz, ingangssignaal PAR = 9.3 dB @ 0.01% waarschijnlijkheid op CCDF. : 25 dB Afvoerefficiëntie: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: -61 dBc @ 4 kHz Bandbreedte

Typische pulserende prestaties: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 watt piek, f = 225 MHz, pulsbreedte = 100 µsec, inschakelduur = 20% vermogenswinst: 25.3 dB afvoerefficiëntie: 59%

Geschikt voor gebruik met 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watt piekvermogen, Pulsbreedte = 100 μsec, inschakelduur = 20%

Gekenmerkt met serie-equivalente grootsignaalimpedantieparameters

CW-bewerkingscapaciteit met voldoende koeling

Gekwalificeerd tot maximaal 50 VDD-bediening

Geïntegreerde ESD-bescherming

Ontworpen voor Push-Pull-bediening

Groter negatief gate-source spanningsbereik voor verbeterde klasse C-werking

RoHS-conformiteit

In tape en reel. R6 Suffix = 150-eenheden per 56 mm, 13 inch Reel.



Specificaties

Frequentie (Min) (MHz): 2

Frequentie (Max) (MHz): 500

Voedingsspanning (Typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Uitgangsvermogen (Typ) (W) @ Intermodulatie Niveau bij testsignaal: 125.0 @ AVG

Testsignaal: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Efficiëntie (Typ) (%): 28.5

Thermische weerstand (spec) (℃ / W): 0.2

Matching: ongeëvenaard

Klasse: AB

Die Technology: LDMOS




 

 

Prijs (USD) Hoeveelheid (PCS) Shipping (USD) Totaal (USD) Verzendmethode Betaling
245 1 35 280 DHL

 

Laat een bericht achter 

Naam *
E-mail *
Telefoonnummer
Adres
Code Zie de verificatiecode? Klik vernieuwen!
Bericht
 

Message List

Reacties Laden ...
Home| Over Ons| Producten| Nieuws| Downloaden| Support| Feedback| Contact| Service

Contactpersoon: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail beveiligd] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adres in het Engels: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adres in het Chinees: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)